Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

MMBT5089LT1G

MMBT5089LT1G / ON Semiconductor

Не поставляется

Добавить к сравнению

BIPOLAR TRANSISTOR

Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 25 В, Ток коллектора 50 мА, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 400 , Коэффициент усиления по току, max 1200 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

Предлагаем замену

Для MMBT5089 SHIKUES фотографии временно нет

% MMBT5089 (SHIKUES) 0,98

Характеристики

Корпус

SOT23
Тип проводимости и конфигурация

NPN
Рассеиваемая мощность

225 мВт
Напряжение КЭ максимальное

25 В
Ток коллектора

50 мА
Граничная рабочая частота

50 МГц
Коэффициент усиления по току, min

400
Коэффициент усиления по току, max

1200
Примечание

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 12.09.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 12.09.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰