MMBT5401LT3G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -150V
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 150 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 50 , Коэффициент усиления по току, max 240 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное150 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота300 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min50
-
Коэффициент усиления по току, max240
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236