MMBTA42LT1 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 25 , Коэффициент усиления по току, max 40 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное300 В
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота50 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min25
-
Коэффициент усиления по току, max40
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB