MMBTA56LT1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80 , Коэффициент усиления по току, max 100 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота50 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min80
-
Коэффициент усиления по току, max100
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236