MMBZ18VALT1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
18 V Dual Common Anode Zener Diode Transient Voltage Suppressor
Корпус SOT23 , Рабочее напряжение 14.5 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 17.1 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 18.9 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 14.5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236 , Ток утечки при рабочем напряжении 0.05 мкА, Пиковая рассеиваемая мощность 40 Вт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный , Напряжение ограничения (номинальное) 18 В, Максимальное импульсное напряжение 25 В, Рассеиваемая мощность 225 мВт
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Рабочее напряжение14.5 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min17.1 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max18.9 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 40W, 14.5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236
-
Ток утечки при рабочем напряжении0.05 мкА
-
Пиковая рассеиваемая мощность40 Вт
-
Тип супрессора по свойствамоднонаправленный
-
Напряжение ограничения (номинальное)18 В
-
Максимальное импульсное напряжение25 В
-
Рассеиваемая мощность225 мВт