MMBZ27VALT1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT23 , Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 25.65 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 28.35 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 22V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236 , Ток утечки при рабочем напряжении 0.05 мкА, Пиковая рассеиваемая мощность 40 Вт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный , Напряжение ограничения (номинальное) 27 В, Максимальное импульсное напряжение 40 В, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Рабочее напряжение 22 В
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min25.65 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max28.35 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 40W, 22V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236
-
Ток утечки при рабочем напряжении0.05 мкА
-
Пиковая рассеиваемая мощность40 Вт
-
Тип супрессора по свойствамоднонаправленный
-
Напряжение ограничения (номинальное)27 В
-
Максимальное импульсное напряжение40 В
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Рабочее напряжение22 В