MMBZ5V6ALT1 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TVS Diode Package/Case:SOT-23; Leaded Pr
Корпус SOT23 , Максимальное импульсное напряжение 8 В, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Рабочее напряжение 3 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 5.32 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 5.88 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 24W, 3V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236 , Ток утечки при рабочем напряжении 5 мкА, Пиковая рассеиваемая мощность 24 Вт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный , Напряжение ограничения (номинальное) 6 В
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Максимальное импульсное напряжение8 В
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Рабочее напряжение3 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min5.32 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max5.88 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 24W, 3V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236
-
Ток утечки при рабочем напряжении5 мкА
-
Пиковая рассеиваемая мощность24 Вт
-
Тип супрессора по свойствамоднонаправленный
-
Напряжение ограничения (номинальное)6 В