MMBZ6V8ALT1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT23 , Максимальное импульсное напряжение 9.6 В, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Рабочее напряжение 4.5 В, Количество линий ограничения 2 , Напряжение ограничения (диапазон), min 6.46 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 7.14 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 24W, 4.5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236 , Ток утечки при рабочем напряжении 0.5 мкА, Пиковая рассеиваемая мощность 24 Вт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный , Напряжение ограничения (номинальное) 6.8 В
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Максимальное импульсное напряжение9.6 В
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Рабочее напряжение4.5 В
-
Количество линий ограничения2
-
Напряжение ограничения (диапазон), min6.46 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max7.14 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 24W, 4.5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236
-
Ток утечки при рабочем напряжении0.5 мкА
-
Пиковая рассеиваемая мощность24 Вт
-
Тип супрессора по свойствамоднонаправленный
-
Напряжение ограничения (номинальное)6.8 В