MMSF3P02HDR2G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
P CHANNEL MOSFET, -20V, 5.6A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:5.6A;
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток -20 В, Ток стока номинальный при 25°C 5.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 75 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 75 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 75 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 46 нКл, Рассеиваемая мощность 2.5 Вт, Примечание Power MOSFET 20V 5.6A 75 mOhm Single P-Channel SO-8 , Ёмкость затвора 1 400 пФ
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьP
-
Максимальное напряжение сток-исток-20 В
-
Ток стока номинальный при 25°C5.6 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)75 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min75 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max75 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора46 нКл
-
Рассеиваемая мощность2.5 Вт
-
ПримечаниеPower MOSFET 20V 5.6A 75 mOhm Single P-Channel SO-8
-
Ёмкость затвора1 400 пФ