MMUN2111LT3G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
SOT23-3/SMALL SIGNAL BIAS RESISTOR TRANSISTOR PNP 50V
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 230 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 35 , Коэффициент усиления по току, max 60 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность230 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min35
-
Коэффициент усиления по току, max60
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB