MMUN2112LT1 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 246 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 60 , Коэффициент усиления по току, max 100 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность246 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min60
-
Коэффициент усиления по току, max100
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB