MMUN2211LT1 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 246 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 35 , Коэффициент усиления по току, max 60 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 10 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 10 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность246 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min35
-
Коэффициент усиления по току, max60
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи10 кОм
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ10 кОм
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB