MMUN2232LT1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Transistor; Transistor Type:Small Signal Digital (BRT); Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current, Ic:0.1A; Base Input Resistor, R1:4700ohm; Base-Emitter Resistor, R2:4700ohm
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 246 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 15 , Коэффициент усиления по току, max 30 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность246 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min15
-
Коэффициент усиления по току, max30
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236