Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 625 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92
Показать полное описаниеСкрыть полное описание
Характеристики
Корпус
TO92
Тип проводимости и конфигурация
N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность
625 мВт
Примечание
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92