MSD42WT1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SC703 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 450 мВт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 150 мА, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSC703
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность450 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное300 В
-
Ток коллектора150 мА
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon