MTDF1N03HDR2 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 120 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 120 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 120 мОм, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C2 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)120 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min120 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max120 мОм
-
Рассеиваемая мощность625 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET