MUN2235T1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SC74 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 338 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 80 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Характеристики
-
КорпусSC74
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность338 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min80
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon