MUN5211DW1T1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Bias Resistor Transistor; Transistor Type:Small Signal Digital (BRT); Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:50V; Base Input Resistor, R1:10000ohm; Base-Emitter Resistor, R2:10000ohm
Корпус TSSOP6 , Тип проводимости и конфигурация 2 NPN , Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 35 , Коэффициент усиления по току, max 60 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 10 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 10 кОм, Примечание —
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTSSOP6
-
Тип проводимости и конфигурация2 NPN
-
Рассеиваемая мощность250 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min35
-
Коэффициент усиления по току, max60
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи10 кОм
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ10 кОм
-
Примечание—