Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты
Фотография MUN5311DW1T2G ON Semiconductor временно отсутствует

MUN5311DW1T2G / ON Semiconductor

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус TSSOP6 , Тип проводимости и конфигурация NPN AND PNP , Рассеиваемая мощность 256 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 35 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon

Предлагаем замену

Описания и документация

DTC114EP-Dhj.pdf

Характеристики

  • Корпус
    TSSOP6
  • Тип проводимости и конфигурация
    NPN AND PNP
  • Рассеиваемая мощность
    256 мВт
  • Напряжение КЭ максимальное
    50 В
  • Ток коллектора
    100 мА
  • Коэффициент усиления по току, min
    35
  • Примечание
    Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 31.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 31.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.