MUN5311DW1T2G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TSSOP6 , Тип проводимости и конфигурация NPN AND PNP , Рассеиваемая мощность 256 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 35 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTSSOP6
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN AND PNP
-
Рассеиваемая мощность256 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min35
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon