MUN5314DW1T1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Тип упаковки-Tape and Reel (лента в катушке; Цифровой биполярный транзистор, сборка, ток смещения, N
Корпус TSSOP6 , Тип проводимости и конфигурация NPN / PNP , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 80 , Коэффициент усиления по току, max 140 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTSSOP6
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN / PNP
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min80
-
Коэффициент усиления по току, max140
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon