MURS480ET3G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус DO214AB , Схема включения диодов одиночный , Максимальное обратное напряжение диода 800 В, Прямой ток диода (средний) 4 А, Прямое падение напряжения 1.85 В, Обратный ток диода 25 мкА, Время обратного восстановления диодов 100 нс, Рабочая температура -65 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж на плату, SMT
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусDO214AB
-
Схема включения диодоводиночный
-
Максимальное обратное напряжение диода800 В
-
Прямой ток диода (средний)4 А
-
Прямое падение напряжения1.85 В
-
Обратный ток диода25 мкА
-
Время обратного восстановления диодов100 нс
-
Рабочая температура-65 °C
-
Рабочая температура175 °C
-
Монтажна плату, SMT