Корпус SOIC8 , Гистерезис защиты по питанию, min 8.9 В, Гистерезис защиты по питанию, max 26.5 В, Максимальная частота преобразования 100 кГц, Выходной ток, min 500 мА, Выходной ток, max 800 мА, Максимальная скважность 80 %, Примечание Overload Protection: Latched , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.