NCP5106BDR2G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOIC8 , Кол-во нижних каналов 1 , Кол-во верхних каналов 1 , Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 250 мА, Максимальный выходной ток спада 500 мА, Опции Half Bridge Based Peripheral Driver, 0.5A, PDSO8 , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C, Примечание Dual Input, High Voltage, High and Low-Side MOSFET or IGBT Driver
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Кол-во нижних каналов1
-
Кол-во верхних каналов1
-
Максимальное напряжение смещения600 В
-
Максимальный выходной ток нарастания250 мА
-
Максимальный выходной ток спада500 мА
-
ОпцииHalf Bridge Based Peripheral Driver, 0.5A, PDSO8
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура125 °C
-
ПримечаниеDual Input, High Voltage, High and Low-Side MOSFET or IGBT Driver