NDD02N60Z-1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N-CH, 600V, 2.2A, TO-251
Корпус TO251 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C 2.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.8 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 4.8 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 4.8 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 10.1 нКл, Рассеиваемая мощность 57 Вт, Примечание NFET DPAK 600V 2.2A 4.8OH , Ёмкость затвора 274 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO251
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C2.2 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)4.8 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min4.8 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max4.8 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора10.1 нКл
-
Рассеиваемая мощность57 Вт
-
ПримечаниеNFET DPAK 600V 2.2A 4.8OH
-
Ёмкость затвора274 пФ