NGTB50N120FL2WG / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, IGBT, 2.2V, 100A, TO-247-3
Корпус TO247 , Напряжение К-Э максимальное 1200 , Ток коллектора максимальный при 25°C 100 А, Напряжение насыщения К-Э 2.2 В, Время включения 118 нс, Время выключения 282 нс, Время восстановления диода 256 нс, Максимальная мощность 535 Вт, Заряд затвора 311 нКл, Тип входа стандартный , Тип Trench Field Stop , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Напряжение К-Э максимальное1200
-
Ток коллектора максимальный при 25°C100 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.2 В
-
Время включения118 нс
-
Время выключения282 нс
-
Время восстановления диода256 нс
-
Максимальная мощность535 Вт
-
Заряд затвора311 нКл
-
Тип входастандартный
-
ТипTrench Field Stop
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel