NGTB50N65FL2WG / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO247 , Напряжение К-Э максимальное 650 , Ток коллектора максимальный при 25°C 100 А, Напряжение насыщения К-Э 2 В, Время включения 100 нс, Время выключения 237 нс, Время восстановления диода 94 нс, Максимальная мощность 417 Вт, Заряд затвора 220 нКл, Тип входа стандартный , Тип Trench Field Stop , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Напряжение К-Э максимальное650
-
Ток коллектора максимальный при 25°C100 А
-
Напряжение насыщения К-Э2 В
-
Время включения100 нс
-
Время выключения237 нс
-
Время восстановления диода94 нс
-
Максимальная мощность417 Вт
-
Заряд затвора220 нКл
-
Тип входастандартный
-
ТипTrench Field Stop
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel