NJL1302DG / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO2645 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Комплементарная пара NJL3281D , Рассеиваемая мощность 200 Вт, Напряжение КЭ максимальное 260 В, Ток коллектора 15 А, Граничная рабочая частота 30 МГц, Коэффициент усиления по току, min 75 , Коэффициент усиления по току, max 150 , Примечание Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 260V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin
Характеристики
-
КорпусTO2645
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Комплементарная параNJL3281D
-
Рассеиваемая мощность200 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное260 В
-
Ток коллектора15 А
-
Граничная рабочая частота30 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min75
-
Коэффициент усиления по току, max150
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 15A I(C), 260V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin