NJT4030PT1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
3.0 A, 40 V PNP Bipolar Power Transistor
SOT-223-4 / TO-261-4
Корпус PGSOT2234 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 160 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200 , Коэффициент усиления по току, max 400 , Примечание Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Характеристики
-
КорпусPGSOT2234
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Ток коллектора3 А
-
Граничная рабочая частота160 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min200
-
Коэффициент усиления по току, max400
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin