NJW21194G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
16 A, 250 V Complementary Bipolar Power Transistors, NPN
Корпус TO3P , Тип проводимости и конфигурация NPN , Комплементарная пара NJW21193 , Рассеиваемая мощность 200 Вт, Напряжение КЭ максимальное 250 В, Ток коллектора 15 А, Граничная рабочая частота 4 МГц, Коэффициент усиления по току, min 20 , Коэффициент усиления по току, max 70 , Примечание Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
КорпусTO3P
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Комплементарная параNJW21193
-
Рассеиваемая мощность200 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное250 В
-
Ток коллектора15 А
-
Граничная рабочая частота4 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min20
-
Коэффициент усиления по току, max70
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 16A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin