Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

Фотография NSS1C301ET4G ON Semiconductor временно отсутствует

NSS1C301ET4G / ON Semiconductor

Не поставляется

Добавить к сравнению

TRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, TO-252

Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 33 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 120 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80 , Примечание Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

Характеристики

Корпус

TO252
Тип проводимости и конфигурация

NPN
Рассеиваемая мощность

33 Вт
Напряжение КЭ максимальное

100 В
Ток коллектора

3 А
Граничная рабочая частота

120 МГц
Коэффициент усиления по току, min

80
Примечание

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 11.11.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 11.11.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰