NSS20101JT1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
20 V, 1.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Transistor
Корпус SC89 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 20 В, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 350 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200 , Коэффициент усиления по току, max 500 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Характеристики
-
КорпусSC89
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное20 В
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота350 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min200
-
Коэффициент усиления по току, max500
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon