Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 540 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 4 А, Граничная рабочая частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236