NSS40300MZ4T3G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
SOT23-4/40 V, 3.0 A, LOW VCE(SAT)PNP TRANSISTOR
Корпус TO261 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 160 МГц, Коэффициент усиления по току, min 175 , Коэффициент усиления по току, max 350 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO261
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Ток коллектора3 А
-
Граничная рабочая частота160 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min175
-
Коэффициент усиления по току, max350
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA