NSS60601MZ4T1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
6.0 A, 60 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor
Корпус TO261 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 6 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Коэффициент усиления по току, max 360 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO261
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Ток коллектора6 А
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
Коэффициент усиления по току, max360
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA