Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

Фотография NSV1C200LT1G ON Semiconductor временно отсутствует

NSV1C200LT1G / ON Semiconductor

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 710 мВт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 120 МГц, Коэффициент усиления по току, min 50 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236

Характеристики

Корпус

—
Тип проводимости и конфигурация

PNP
Рассеиваемая мощность

710 мВт
Напряжение КЭ максимальное

100 В
Ток коллектора

2 А
Граничная рабочая частота

120 МГц
Коэффициент усиления по току, min

50
Примечание

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 11.10.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 11.10.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰