NSVBC817-16LT1G / ON Semiconductor

Не поставляется

Добавить к сравнению

SS SOT23 GP XSTR NPN 45V

Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

Предлагаем замену

BC817-16LT1G (ONS) 1,18

BC817-16.215 (NEX-NXP) 1,07

BC817-16 (DIODES) 7,34

Для BC817-16LT1 ON Semiconductor фотографии временно нет

BC817-16LT1 (ONS) 2,32

BC817-16 (DC) 1,40

Для BC817-16 NEXPERIA фотографии временно нет

BC817-16 (NEX-NXP) 1,12

хит BC817 (JSCJ) 0,77

BC817-16LT3G (ONS) 1,59

хит % BC817-16 (YJ) 0,76

BC817-16 (DIOTEC) 1,28

Характеристики

Корпус

SOT23
Тип проводимости и конфигурация

NPN
Рассеиваемая мощность

300 мВт
Напряжение КЭ максимальное

45 В
Ток коллектора

500 мА
Граничная рабочая частота

100 МГц
Коэффициент усиления по току, min

100
Примечание

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB