NTB5605PT4G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Trans MOSFET P-CH 60V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток -60 В, Ток стока номинальный при 25°C 18.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 140 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 140 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 140 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 5 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 22 нКл, Рассеиваемая мощность 88 Вт, Примечание PFET D2PAK 60V 18.5A 140M , Ёмкость затвора 1 190 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьP
-
Максимальное напряжение сток-исток-60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C18.5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)140 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min140 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max140 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max5 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора22 нКл
-
Рассеиваемая мощность88 Вт
-
ПримечаниеPFET D2PAK 60V 18.5A 140M
-
Ёмкость затвора1 190 пФ