NTD15N06LT4G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 15 А, Сопротивление открытого канала (мин) 100 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 100 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 100 мОм, Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C15 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)100 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min100 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max100 мОм
-
Рассеиваемая мощность1.5 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET