NTD20N06T4G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
N CHANNEL MOSFET, 60V, 20A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; D
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 46 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 46 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 46 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 30 нКл, Рассеиваемая мощность 1.88 Вт, Примечание NFET DPAK 60V 20A 46MOHM , Ёмкость затвора 1 015 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C20 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)46 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min46 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max46 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора30 нКл
-
Рассеиваемая мощность1.88 Вт
-
ПримечаниеNFET DPAK 60V 20A 46MOHM
-
Ёмкость затвора1 015 пФ