NTD5862NT4G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Power MOSFET 60V 90A 5.7 mOhm Single N Channel DPAK
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 98 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5.7 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 5.7 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 5.7 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 82 нКл, Рассеиваемая мощность 115 Вт, Примечание NFET DPAK 60V 102A 6MOHM , Ёмкость затвора 6 000 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C98 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)5.7 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min5.7 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max5.7 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора82 нКл
-
Рассеиваемая мощность115 Вт
-
ПримечаниеNFET DPAK 60V 102A 6MOHM
-
Ёмкость затвора6 000 пФ