NTD85N02RT4G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 24 В, Ток стока номинальный при 25°C 12 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5.2 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 5.2 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 5.2 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 17.7 нКл, Рассеиваемая мощность 1.25 Вт, Примечание Power MOSFET 24V 85A 5.2 mOhm Single N-Channel DPAK , Ёмкость затвора 2 050 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток24 В
-
Ток стока номинальный при 25°C12 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)5.2 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min5.2 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max5.2 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора17.7 нКл
-
Рассеиваемая мощность1.25 Вт
-
ПримечаниеPower MOSFET 24V 85A 5.2 mOhm Single N-Channel DPAK
-
Ёмкость затвора2 050 пФ