NTP22N06L / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 22 А, Сопротивление открытого канала (мин) 65 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 65 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 65 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 5 В, Заряд затвора 20 нКл, Рассеиваемая мощность 60 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 690 пФ
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C22 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)65 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min65 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max65 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max5 В
-
Заряд затвора20 нКл
-
Рассеиваемая мощность60 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора690 пФ