NUP2301MW6T1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT236 , Пороговое напряжение 70 В, Ток утечки 2.5 мкА, Паразитная емкость линии 3 нФ, Примечание Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Two Data Lines , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C
Характеристики
-
КорпусSOT236
-
Пороговое напряжение70 В
-
Ток утечки2.5 мкА
-
Паразитная емкость линии3 нФ
-
ПримечаниеLow Capacitance Diode Array for ESD Protection in Two Data Lines
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура125 °C