NUP4016P5T5G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TDFN8 , Пороговое напряжение 6 В, Ток утечки 1 мкА, Паразитная емкость линии 0.8 нФ, Примечание Low Capacitance Diode-TVS , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C
Характеристики
-
КорпусTDFN8
-
Пороговое напряжение6 В
-
Ток утечки1 мкА
-
Паразитная емкость линии0.8 нФ
-
ПримечаниеLow Capacitance Diode-TVS
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура125 °C