NUP4106DR2G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOIC8 , Пороговое напряжение 5 В, Ток утечки 5 мкА, Паразитная емкость линии 15 нФ, Примечание 4 channel TVS protection array in SO-8 , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Пороговое напряжение5 В
-
Ток утечки5 мкА
-
Паразитная емкость линии15 нФ
-
Примечание4 channel TVS protection array in SO-8
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура125 °C