NUP4302MR6T1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TSOP6 , Пороговое напряжение 30 В, Ток утечки 30 мкА, Паразитная емкость линии 28 нФ, Примечание Schottky Diode Array for Four Data Line ESD Protection , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C
Характеристики
-
КорпусTSOP6
-
Пороговое напряжение30 В
-
Ток утечки30 мкА
-
Паразитная емкость линии28 нФ
-
ПримечаниеSchottky Diode Array for Four Data Line ESD Protection
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура125 °C