P6KE200BRLG / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Максимальное импульсное напряжение 274 В, Рассеиваемая мощность 5 Вт, Рабочее напряжение 171 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 190 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 210 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41 , Пиковая рассеиваемая мощность 600 Вт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный , Напряжение ограничения (номинальное) 200 В
Характеристики
-
Корпус—
-
Максимальное импульсное напряжение274 В
-
Рассеиваемая мощность5 Вт
-
Рабочее напряжение171 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min190 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max210 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41
-
Пиковая рассеиваемая мощность600 Вт
-
Тип супрессора по свойствамоднонаправленный
-
Напряжение ограничения (номинальное)200 В