P6SMB36AT3 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Рабочее напряжение 30.8 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 34.2 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 37.8 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA , Пиковая рассеиваемая мощность 600 Вт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный , Напряжение ограничения (номинальное) 36 В, Максимальное импульсное напряжение 49.9 В, Рассеиваемая мощность 550 мВт
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Рабочее напряжение30.8 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min34.2 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max37.8 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
-
Пиковая рассеиваемая мощность600 Вт
-
Тип супрессора по свойствамоднонаправленный
-
Напряжение ограничения (номинальное)36 В
-
Максимальное импульсное напряжение49.9 В
-
Рассеиваемая мощность550 мВт