P6SMB75AT3 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Напряжение ограничения (номинальное) 75 В, Максимальное импульсное напряжение 103 В, Рассеиваемая мощность 550 мВт, Рабочее напряжение 64.1 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 71.3 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 78.8 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 64.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA , Пиковая рассеиваемая мощность 600 Вт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Напряжение ограничения (номинальное)75 В
-
Максимальное импульсное напряжение103 В
-
Рассеиваемая мощность550 мВт
-
Рабочее напряжение64.1 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min71.3 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max78.8 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 64.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
-
Пиковая рассеиваемая мощность600 Вт
-
Тип супрессора по свойствамоднонаправленный