PZT3904T1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT223 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 200 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Коэффициент усиления по току, max 300 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT223
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность1.5 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Ток коллектора200 мА
-
Граничная рабочая частота300 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
Коэффициент усиления по току, max300
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA